セミナー情報
Seminar Infomation
◇ 次回開催予定のパワーエレクトロニクスセミナー
| タイトル | |
| 開催日時 |
2024年8月9日(金) 13:00～17:00
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| 講師 |
東京大学 生産技術研究所 教授 高宮 真 氏
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| 実施形式 |
神奈川県横浜市西区北幸2-8-4 横浜西口KNビル 2F 会議室 |
| 参加費 |
1名：49,800円、1口(3名まで参加可)：69,800円 (テキスト代・消費税含む)
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| 開催概要 |
電力変換器の小型・高効率化を実現するために、パワー半導体のシリコンからSiCやGaNへの置き換えが進んでいます。
そこで、顕在化するのがSiCやGaNの高速スイッチングに伴うノイズ・EMIの問題です。
この問題を解決する技術として、パワー半導体のゲート端子を駆動する波形を制御する「アクティブゲート駆動」が注目されています。
また、高信頼な電力変換器を実現する手段として、パワー半導体の過電流、接合温度、特性劣化などのセンシング技術の重要性も高まっています。
そこで、本セミナーでは、パワー半導体を賢く操るデジタルアクティブゲート駆動技術とゲート端子経由のセンシング技術の動作原理から最新研究動向まで解説します。
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| 講演内容 |
1.デジタルゲートICのパワーエレクトロニクスへのインパクト
1) 将来ビジョン：パワーエレクトロニクス2.0
2) パワーエレクトロニクスをパワー半導体レベルまでDX化するデジタルゲートIC
3) ゲート端子の重要性
2.デジタルアクティブゲート駆動技術
1) アクティブゲート駆動技術の分類と意義
2) スイッチング損失とサージの低減事例（IGBT, SiCMOS, GaNFET）
3) スイッチング損失とEMIの低減事例（IGBT, SiCMOS）
3.ゲート端子経由のセンシング技術
1) ゲートドライバICでセンシングする意義
2) ゲート電圧波形からIGBTの負荷電流と接合温度を推定
3) ゲート電圧波形からIGBT, SiCMOSの過電流検出/保護
4) ゲート電圧波形からIGBTのボンディングワイヤ剥がれを検出
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| ご略歴 |
・1995年 東京大学工学部電子工学科 卒業 ・2000年 東京大学工学系研究科博士課程電子工学専攻 修了 ・2000年 NEC入社 ・2005年 東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター 准教授 ・2013年～2014年 米国カリフォルニア大学バークレー校 客員研究員 ・2019年～ 東京大学 生産技術研究所 教授。集積パワーマネジメントの研究に従事 |